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2SB1175 参数 Datasheet PDF下载

2SB1175图片预览
型号: 2SB1175
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内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP epitaxial planar type]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 95 K
品牌: PANASONIC [ PANASONIC ]
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2SB1175  
PC Ta  
IC VCE  
VCE(sat) IC  
20  
15  
10  
5
100  
10  
6  
5  
4  
3  
2  
1  
0
IC/IB=20  
TC=25˚C  
IB=–100mA  
(1)TC=Ta  
(2)Without heat sink  
(PC=1.3W)  
–90mA  
–80mA  
–70mA  
–60mA  
–50mA  
–40mA  
1  
(1)  
–30mA  
–20mA  
25˚C  
TC=100˚C  
0.1  
0.01  
–25˚C  
–8mA  
–5mA  
(2)  
0
0
40  
80  
120  
160  
0.01  
0.1  
1  
10  
0
2  
4  
6  
8  
10  
(
)
( )  
Collector current IC A  
Ambient temperature Ta °C  
(
)
V
Collector-emitter voltage VCE  
VBE(sat) IC  
hFE IC  
fT IC  
104  
103  
102  
10  
104  
103  
102  
10  
1
100  
10  
IC/IB=20  
VCE=–2V  
VCE=–10V  
f=10MHz  
TC=25˚C  
25˚C  
TC=100˚C  
–25˚C  
TC=–25˚C  
100˚C  
1  
25˚C  
0.1  
0.01  
1
0.01  
0.1  
1  
10  
0.01  
0.1  
1  
10  
0.01  
0.1  
1  
10  
(
)
A
Collector current IC  
( )  
Collector current IC A  
(
)
A
Collector current IC  
Cob VCB  
ton , tstg , tf IC  
Safe operation area  
104  
100  
100  
10  
Pulsed tw=1ms  
Duty cycle=1%  
IC/IB=10  
Non repetitive pulse  
TC=25˚C  
IE=0  
f=1MHz  
TC=25˚C  
(–IB1=IB2  
CC=–50V  
TC=25˚C  
)
V
103  
102  
10  
1
ICP  
10  
1
t=1ms  
t=10ms  
IC  
1  
t=300ms  
tstg  
ton  
tf  
0.1  
0.01  
0.1  
0.01  
0
0.8  
1.6  
2.4  
3.2  
0.1  
1  
10  
100  
1  
10  
100  
1000  
Collector current IC (A)  
(
)
Collector-base voltage VCB  
V
( )  
Collector-emitter voltage VCE V  
SJD00051AED  
2
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