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    NTR4101PT1G 参数 Datasheet PDF下载

    NTR4101PT1G图片预览
    型号： NTR4101PT1G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 沟槽功率MOSFET -20 V，单P沟道， SOT -23 [Trench Power MOSFET −20 V, Single P−Channel, SOT−23]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 6 页 / 60 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NTR4101PT1G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NTR4101PT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTR4101PT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTR4101PT1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTR4101PT1G的Datasheet PDF文件第6页  
    NTR4101P
    典型性能曲线
    (T
    J
    = 25 ° C除非另有说明）
    −V
    DS ，
    漏 - 源电压（伏）
    −V
    GS ，
    栅 - 源电压（伏）
    1000
    V
    GS
    = 0 V
    C，电容（pF ）
    800
    C
    国际空间站
    T
    J
    = 25°C
    4.0
    QT
    3.5
    3.0
    2.5
    2.0
    1.5
    1.0
    V
    DS
    Q
    gs
    Q
    gd
    600
    V
    GS
    400
    200
    C
    OSS
    C
    RSS
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    14
    16
    18
    20
    0.5
    0
    0
    I
    D
    = −1.6 A
    T
    J
    = 25°C
    4
    6
    2
    Q
    g
    ，总栅极电荷（ NC）
    8
    0
    −V
    DS
    ，漏极至源极电压（伏）
    图7.电容变化
    图8.栅极至源极和漏极 - 源
    电压和总栅极电荷
    1000
    −I
    S
    ，源电流（安培）
    V
    DD
    = −10 V
    I
    D
    = −1.6 A
    V
    GS
    = −4.5 V
    T， TIME （ NS ）
    100
    5
    4.5
    4
    3.5
    3
    2.5
    2
    1.5
    1
    0.5
    0
    1
    10
    R
    G
    ，栅极电阻（欧姆）
    100
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    −V
    SD
    ，源极到漏极电压（伏）
    V
    GS
    = 0 V
    T
    J
    = 25°C
    10
    t
    D（关闭）
    t
    f
    t
    r
    t
    D（上）
    1
    图9.电阻开关时间变化
    与栅极电阻
    图10.二极管的正向电压与电流
    http://onsemi.com
    4

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