NTR4101PT1G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NTR4101PT1G
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	沟槽功率MOSFET -20 V，单P沟道， SOT -23 [Trench Power MOSFET −20 V, Single P−Channel, SOT−23]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	6 页 / 60 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

NTR4101P

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注4 ）

= 0 V，I

= −250

毫安）

零栅极电压漏极电流（注4 ）

= 0 V, V

= −16 V)

栅极 - 源极漏电流

±8.0

V, V

= 0 V)

基本特征

栅极阈值电压（注4 ）

= V

, I

= −250

毫安）

漏极 - 源极导通电阻

= -4.5 V，I

= −1.6 A)

= -2.5 V，I

= −1.3 A)

= -1.8 V，I

= −0.9 A)

正向跨导（V

= -5.0 V，I

= −2.3 A)

收费，电容&栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅 - 源栅极电荷

栅 - 漏“米勒”充电

栅极电阻

开关特性

（注5 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

5.开关特性是独立的工作结温。

= 0 V

/ DT = 100 A /小姐，我

= −1.6 A)

= 0 V，I

= −2.4 A)

−0.82

12.8

9.9

3.0

1008

−1.2

= −4.5 V, V

= −10 V,

4.5

= -1.6 A，R

= 6.0

D（上）

D（关闭）

7.5

12.6

30.2

21.0

= −4.5 V, V

= -10 V，I

= −1.6 A)

= -10 V，I

= −1.6 A)

= -10 V，I

= −1.6 A)

(

= 0 V ， F = 1兆赫，V

= −10 V)

)

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

675

100

7.5

1.2

2.2

6.5

8.5

GS （ TH）

DS （ ON）

112

120

210

−0.40

−0.720

−1.5

（ BR ） DSS

DSS

GSS

−20

−1.0

±100

符号

民

典型值

最大

单位

http://onsemi.com

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案