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MMBTA42LT1G 参数 Datasheet PDF下载

MMBTA42LT1G图片预览
型号: MMBTA42LT1G
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内容描述: 高电压晶体管 [High Voltage Transistors]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
文件页数/大小: 6 页 / 85 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBTA42LT1G , MMBTA43LT1G
典型特征
1000
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
V
CE
= 10 V
h
FE
,直流电流增益
1.2
I
C
/I
B
= 10
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
−55°C
0.0
0.1
1
10
100
25°C
150°C
T
J
= 150°C
100
25°C
−55°C
10
0.1
1
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图1.直流电流增益
图2.集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
1.0
0.9
0.8
−55°C
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
1
10
I
C
/I
B
= 10
100
150°C
25°C
0.9
V
BE ( SAT )
,基极 - 发射
饱和电压( V)
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
1
10
I
C
/I
B
= 10
100
150°C
−55°C
25°C
I
C
,集电极电流(毫安)
V
BE(上)
,基极发射极电压(V)的
1.0
I
C
,集电极电流(毫安)
图3.基射极饱和电压与
集电极电流
q
VB
,温度系数(毫伏/ ° C)
0
−0.4
−0.8
−1.2
−1.6
−2.0
−2.4
−2.8
0.1
1
q
VB
为V
BE
−55°C
至150℃
10
100
0.1
0.1
V
CE
= 10 V
C,电容(pF )
100
图4.基射极电压上与
集电极电流
C
IBO
T
J
= 25°C
F = 1 MHz的
10
C
敖包
1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
V
R
,反向电压(伏)
图5.基射极温度
系数
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3
图6.电容