MMBTA42LT1G,
MMBTA43LT1G
高电压晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
符号
MMBTA42
MMBTA43
MMBTA42
MMBTA43
MMBTA42
MMBTA43
V
首席执行官
价值
300
200
300
200
6.0
6.0
500
单位
VDC
3
1
VDC
2
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
类型6
2
辐射源
•
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
特征
集热器
：辐射源
电压
集热器
： BASE
电压
V
CBO
VDC
辐射源
： BASE
电压
V
EBO
集电极电流
−
连续
I
C
符号
P
D
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗氧化铝
基板（注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
−55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
1
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
标记DIAGRAMS
R
qJA
P
D
1D M
G
G
1
M1E M
G
G
R
qJA
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
1D = MMBTA42LT
M1E = MMBTA43LT
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
订购信息
©
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年6月，
−
启示录10
1
出版订单号：
MMBTA42LT1/D
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
