MMBT5551LT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MMBT5551LT1
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内容描述：	高压晶体管（ NPN硅） [High Voltage Transistors(NPN Silicon)]
分类和应用：	晶体小信号双极晶体管高压
文件页数/大小：	6 页 / 202 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

MMBT5550LT1 MMBT5551LT1

500

300

200

^ h FE ， DC电流增益

100

– 55°C

7.0

5.0

0.1

TJ = 125°C

25°C

VCE = 1.0 V

VCE = 5.0 V

0.2

0.3

0.5

0.7

1.0

3.0

2.0

5.0

7.0

IC ，集电极电流（毫安）

100

图1.直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1.0

IB ，基极电流（毫安）

2.0

5.0

IC = 1.0毫安

10毫安

30毫安

百毫安

图2.集电极饱和区

101

VCE = 30 V

IC ，集电极电流（

100

10–1

10–2

10–3

10–4

10–5

0.4

TJ = 125°C

V，电压（V ）

1.0

TJ = 25°C

0.8

IC = ICES

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

0.6

75°C

反向

25°C

前锋

0.4

0.2

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

0.3

0.2 0.1

0.1

0.2 0.3

0.4

VBE ，基极发射极电压（伏）

0.5

0.6

0.1

0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30

IC ，集电极电流（毫安）

100

图3.集电极截止区

图4. “开”电压

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