摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MMBT5550LT1 / D
高电压晶体管
NPN硅
1
BASE
集热器
3
MMBT5550LT1
MMBT5551LT1*
*摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
价值
140
160
6.0
600
2
辐射源
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
3
CASE 318 - 08 ，类型6
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
q
JA
PD
556
300
2.4
R
q
JA
TJ ， TSTG
417
- 55 〜+ 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
MMBT5550LT1 = M1F ; MMBT5551LT1 = G1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 100伏， IE = 0 ）
（ VCB = 120伏， IE = 0 ）
（ VCB = 100伏， IE = 0 ， TA = 100 ° C）
（ VCB = 120伏， IE = 0 ， TA = 100 ° C）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 4.0伏， IC = 0 ）
1， FR- 5 = 1.0
0.75 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4 0.3 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
m
S，占空比= 2.0 ％ 。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
V（ BR ） CEO
MMBT5550
MMBT5551
V（ BR ） CBO
MMBT5550
MMBT5551
V（ BR ） EBO
6.0
ICBO
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
IEBO
—
50
—
—
—
—
100
50
100
50
—
160
180
—
—
140
160
—
—
VDC
VDC
VDC
NADC
μAdc
NADC
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
©
摩托罗拉公司1996年
1
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
