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MMBT5551LT1G 参数 Datasheet PDF下载

MMBT5551LT1G图片预览
型号: MMBT5551LT1G
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内容描述: 高电压晶体管 [High Voltage Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 101 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBT5550LT1 , MMBT5551LT1
θ
V,温度系数(毫伏/
°
C)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
− 0.5
− 1.0
− 1.5
− 2.0
− 2.5
0.1
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
10 20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
100
q
VB
对于V
BE ( SAT )
q
VC
对于V
CE ( SAT )
10.2 V
V
in
10
ms
输入脉冲
t
r
, t
f
10纳秒
占空比= 1.0 %
0.25
mF
V
BB
−8.8 V
100
R
B
5.1 k
V
in
100
1N914
V
CC
30 V
3.0 k
R
C
V
OUT
T
J
= - 55 ° C至+ 135°C的
显示的值是我
C
@ 10毫安
图5.温度系数
图6.开关时间测试电路
100
70
50
C,电容(pF )
30
1000
T
J
= 25°C
500
300
T, TIME ( NS )
200
100
50
C
敖包
30
20
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
10
0.2 0.3 0.5
20 30
2.0 3.0 5.0 10
I
C
,集电极电流(毫安)
50
t
d
@ V
EB (O FF )
= 1.0 V
V
CC
= 120 V
t
r
@ V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 120 V
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.2
C
IBO
1.0
100
200
V
R
,反向电压(伏)
图7的电容
图8.导通时间
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
0.2 0.3 0.5
20 30 50
1.0 2.0 3.0 5.0
10
I
C
,集电极电流(毫安)
100
200
t
s
@ V
CC
= 120 V
t
f
@ V
CC
= 120 V
t
f
@ V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
T, TIME ( NS )
图9.开启,关闭时间
http://onsemi.com
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