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MMBT5551LT1G 参数 Datasheet PDF下载

MMBT5551LT1G图片预览
型号: MMBT5551LT1G
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内容描述: 高电压晶体管 [High Voltage Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 101 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBT5550LT1,
MMBT5551LT1
MMBT5551LT1是首选设备
高电压晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
5550
140
160
6.0
600
5551
160
180
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
BASE
2
辐射源
无铅包可用
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
被超过,设备功能操作不暗示,可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
记号
热特性
特征
器件总功耗
FR - 5委员会(注1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境
器件总功耗
氧化铝基板(注2)
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318
类型6
XXXM
XXX = MMBT550LT1 = M1F ,
MMBT5551LT1 , LT3 , LT1G = G1
M =月守则
订购信息
设备
MMBT5550LT1
MMBT5550LT1G
MMBT5551LT1
SOT−23
SOT−23
(无铅)
SOT−23
SOT−23
(无铅)
SOT−23
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
°C
MMBT5551LT1G
MMBT5551LT3
MMBT5551LT3G
1, FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 %的氧化铝。
SOT- 23万带&卷轴
(无铅)
† 。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年12月 - 第4版
出版订单号:
MMBT5550LT1/D