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MMBT3906LT1G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MMBT3906LT1G
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
文件页数/大小: 7 页 / 116 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBT3906LT1G
0.50
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.001
0.01
0.1
1
I
C
/I
B
= 10
25°C
−55°C
V
BE ( SAT )
,基极 - 发射
饱和电压( V)
150°C
1.4
I
C
/I
B
= 10
1.2
1.0
−55°C
0.8
0.6
0.4
0.2
150°C
25°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流( A)
图15.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
V
BE(上)
,基极发射极电压(V)的
1.4
V
CE
= 1 V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
150°C
−55°C
25°C
1000
f
T
,电流增益带宽
产品(兆赫)
图16.基极发射极饱和电压与
集电极电流
V
CE
= 2 V
T
A
= 25°C
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流(毫安)
图17.基极发射极电压与集电极
当前
q
V,温度系数(MV /
°
C)
1.0
0.5
0
- 0.5
+ 25 ° C至+ 125°C
- 1.0
- 55 °C至+ 25°C
- 1.5
- 2.0
q
VB
对于V
BE ( SAT )
0.001
0
20
40
60
80 100 120 140
I
C
,集电极电流(毫安)
160
180 200
q
VC
对于V
CE ( SAT )
+ 25 ° C至+ 125°C
0.1
- 55 °C至+ 25°C
IC ( A)
1
图18.电流增益带宽与
集电极电流
1s
100毫秒
热限制
1毫秒
10毫秒
0.01
单脉冲试验
@ T
A
= 25°C
0.01
0.1
1
V
CE
( VDC)的
10
100
图19.温度系数
图20.安全工作区
http://onsemi.com
6