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MMBT3906LT1G 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3906LT1G图片预览
型号: MMBT3906LT1G
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
文件页数/大小: 7 页 / 116 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBT3906LT1G
3V
+9.1 V
275
& LT ; 1纳秒
+0.5 V
10 k
0
C
S
< 4 PF *
10.6 V
300纳秒
占空比= 2 %
10 <吨
1
& LT ; 500
ms
占空比= 2 %
*测试夹具和连接器共有并联电容
t
1
10.9 V
1N916
C
S
< 4 PF *
10 k
& LT ; 1纳秒
275
3V
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
典型的瞬态特性
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
7.0
电容(pF)
Q, CHARGE ( PC)
5.0
C
敖包
C
IBO
3.0
2.0
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
70
50
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
Q
T
Q
A
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向偏置(伏)
20 30 40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50 70 100
I
C
,集电极电流(毫安)
200
图3.电容
图4.收费数据
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
I
C
/I
B
= 20
五六,下降时间( NS )
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
时间(纳秒)
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
15 V
40 V
2.0 V
t
d
@ V
OB
= 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图5.打开
ΔON
时间
图6.下降时间
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