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    MMBT3906LT1G 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT3906LT1G图片预览
    型号： MMBT3906LT1G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通用晶体管（ PNP硅） [General Purpose Transistor(PNP Silicon)]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
    文件页数/大小： 6 页 / 101 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MMBT3906LT1G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT3906LT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT3906LT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT3906LT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT3906LT1G的Datasheet PDF文件第6页  
    MMBT3906LT1
    典型静态特性
    ^ h FE ， DC电流增益（标准化）
    2.0
    T
    J
    = +125°C
    1.0
    0.7
    0.5
    0.3
    0.2
    +25°C
    −55
    °C
    V
    CE
    = 1.0 V
    0.1
    0.1
    0.2
    0.3
    0.5
    0.7
    1.0
    2.0
    3.0
    5.0 7.0 10
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    20
    30
    50
    70
    100
    200
    图13.直流电流增益
    VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
    1.0
    T
    J
    = 25°C
    0.8
    I
    C
    = 1.0毫安
    10毫安
    30毫安
    百毫安
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    0.01
    0.02
    0.03
    0.05
    0.07
    0.1
    0.2
    0.3
    0.5
    I
    B
    ，基极电流（毫安）
    0.7
    1.0
    2.0
    3.0
    5.0
    7.0
    10
    图14.集电极饱和区
    1.0
    T
    J
    = 25°C
    0.8
    V，电压（V ）
    V
    BE （ SAT ）
    @ I
    C
    /I
    B
    = 10
    V
    BE
    @ V
    CE
    = 1.0 V
    1.0
    0.5
    0
    −0.5
    + 25 ° C至+ 125°C
    −1.0
    −1.5
    −2.0
    q
    VB
    对于V
    BE （ SAT ）
    −55
    °C
    至+ 25°C
    q
    VC
    对于V
    CE （ SAT ）
    + 25 ° C至+ 125°C
    −55
    °C
    至+ 25°C
    0.6
    0.4
    V
    CE （ SAT ）
    @ I
    C
    /I
    B
    = 10
    0.2
    0
    1.0
    2.0
    50
    5.0
    10
    20
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    100
    200
    q
    V，温度系数（MV /
    °
    C)
    0
    20
    40
    60
    80 100 120 140
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    160
    180 200
    图15为“ON”电压
    图16.温度系数
    http://onsemi.com
    5

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