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    MMBT3906LT1G 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT3906LT1G图片预览
    型号： MMBT3906LT1G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通用晶体管（ PNP硅） [General Purpose Transistor(PNP Silicon)]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
    文件页数/大小： 6 页 / 101 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MMBT3906LT1G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT3906LT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT3906LT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT3906LT1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT3906LT1G的Datasheet PDF文件第6页  
    MMBT3906LT1
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    特征
    符号
    民
    最大
    单位
    开关特性
    集电极发射极击穿电压（I
    C
    = -1.0 MADC ，我
    B
    = 0)
    集电极基极击穿电压（I
    C
    = −10
    MADC ，
    I
    E
    = 0)
    发射-Base击穿电压（I
    E
    = −10
    MADC ，
    I
    C
    = 0)
    底座截止电流（V
    CE
    = -30伏直流，V
    EB
    = -3.0 V直流）
    集电极截止电流（V
    CE
    = -30伏直流，V
    EB
    = -3.0 V直流）
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    BL
    I
    CEX
    −40
    −40
    −5.0
    —
    —
    —
    —
    —
    −50
    −50
    VDC
    VDC
    VDC
    NADC
    NADC
    基本特征
    （注3）
    直流电流增益
    (I
    C
    = -0.1 MADC ，V
    CE
    = -1.0 V直流）
    (I
    C
    = -1.0 MADC ，V
    CE
    = -1.0 V直流）
    (I
    C
    = -10 MADC ，V
    CE
    = -1.0 V直流）
    (I
    C
    = -50 MADC ，V
    CE
    = -1.0 V直流）
    (I
    C
    = -100 MADC ，V
    CE
    = -1.0 V直流）
    集电极发射极饱和电压
    (I
    C
    = -10 MADC ，我
    B
    = -1.0 MADC ）
    (I
    C
    = -50 MADC ，我
    B
    = -5.0 MADC ）
    基地发射极饱和电压
    (I
    C
    = -10 MADC ，我
    B
    = -1.0 MADC ）
    (I
    C
    = -50 MADC ，我
    B
    = -5.0 MADC ）
    H
    FE
    60
    80
    100
    60
    30
    V
    CE （ SAT ）
    —
    —
    V
    BE （ SAT ）
    −0.65
    —
    −0.85
    −0.95
    −0.25
    −0.4
    VDC
    —
    —
    300
    —
    —
    VDC
    —
    小信号特性
    电流 - 获得 - 带宽积（我
    C
    = -10 MADC ，V
    CE
    = -20伏直流， F = 100兆赫）
    输出电容（V
    CB
    = -5.0伏，我
    E
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    输入电容（V
    EB
    = -0.5伏，我
    C
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    输入阻抗（我
    C
    = -1.0 MADC ，V
    CE
    = -10伏直流， F = 1.0千赫）
    电压反馈比率（I
    C
    = -1.0 MADC ，V
    CE
    = -10伏直流， F = 1.0千赫）
    小-Signal电流增益（I
    C
    = -1.0 MADC ，V
    CE
    = -10伏直流， F = 1.0千赫）
    输出导纳（我
    C
    = -1.0 MADC ，V
    CE
    = -10伏直流， F = 1.0千赫）
    噪声系数（I
    C
    = −100
    MADC ，
    V
    CE
    = -5.0伏，R
    S
    = 1.0千欧， F = 1.0千赫）
    f
    T
    C
    敖包
    C
    IBO
    h
    ie
    h
    re
    h
    fe
    h
    oe
    NF
    250
    —
    —
    2.0
    0.1
    100
    3.0
    —
    —
    4.5
    10
    12
    10
    400
    60
    4.0
    兆赫
    pF
    pF
    kΩ
    X 10
    − 4
    —
    毫姆欧
    dB
    开关特性
    延迟时间
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    (V
    CC
    = -3.0伏，V
    BE
    = 0.5伏，
    3.0
    I
    C
    = -10 MADC ，我
    B1
    = -1.0 MADC ）
    (V
    CC
    = -3.0伏，我
    C
    = -10 MADC ，
    3.0
    10
    I
    B1
    = I
    B2
    = -1.0 MADC ）
    t
    d
    t
    r
    t
    s
    t
    f
    —
    —
    —
    —
    35
    35
    225
    75
    ns
    ns
    3.脉冲测试：脉冲宽度
    v
    300
    女士，
    占空比
    v
    2.0%.
    3V
    +9.1 V
    275
    ＆ LT ; 1纳秒
    +0.5 V
    10 k
    0
    C
    S
    < 4 PF *
    10.6 V
    300纳秒
    占空比= 2 ％
    10 <吨
    1
    ＆ LT ; 500
    ms
    占空比= 2 ％
    *测试夹具和连接器共有并联电容
    t
    1
    10.9 V
    1N916
    C
    S
    < 4 PF *
    10 k
    ＆ LT ; 1纳秒
    275
    3V
    图1.延迟和上升时间
    等效测试电路
    图2.存储和下降时间
    等效测试电路
    http://onsemi.com
    2

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