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MMBT3904LT1G 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3904LT1G图片预览
型号: MMBT3904LT1G
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内容描述: 通用晶体管( NPN硅) [General Purpose Transistor (NPN Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 105 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBT3904LT1
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
(V
CE
= 5.0伏,T
A
= 25 ℃,带宽= 1.0赫兹)
12
10
NF ,噪声系数(dB )
8
6
4
2
0
0.1
源电阻= 500
W
I
C
= 100
mA
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
100
源电阻= 200
W
I
C
= 1.0毫安
NF ,噪声系数(dB )
源电阻= 200
W
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 1.0 ķ
I
C
= 50
mA
14
F = 1.0千赫
12
10
8
6
4
2
0
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
100
I
C
= 100
mA
I
C
= 1.0毫安
I
C
- 0.5毫安
I
C
= 50
mA
男,频率(KHz )
R
S
,源电阻(千欧)
图9 。
网络连接gure 10 。
h参数值
(V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫,T
A
= 25°C)
300
锄头,输出导纳(
m
姆欧)
5.0
10
100
50
20
10
5
2
1
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
5.0
10
^ h FE ,电流增益
200
100
70
50
30
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
图11.电流增益
20
ħ即输入阻抗(千欧)
10
5.0
10
7.0
5.0
3.0
2.0
图12.输出导纳
2.0
1.0
0.5
0.2
ħ重,电压反馈比例( X 10
−4
)
5.0
10
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
5.0
10
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
图13.输入阻抗
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4
图14.电压反馈比例