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MMBT3904LT1G 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3904LT1G图片预览
型号: MMBT3904LT1G
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内容描述: 通用晶体管( NPN硅) [General Purpose Transistor (NPN Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 105 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBT3904LT1
典型的瞬态特性
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
7.0
电容(pF)
Q, CHARGE ( PC)
5.0
C
IBO
3.0
2.0
C
敖包
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
70
50
Q
T
Q
A
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
反向偏置电压(伏)
I
C
,集电极电流(毫安)
图3.电容
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
t
d
@ V
OB
= 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
I
C
,集电极电流(毫安)
40 V
15 V
2.0 V
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
吨R,上升时间( NS )
100
70
50
30
20
10
7
5
图4.收费数据
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
时间(纳秒)
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
,集电极电流(毫安)
图5.开启-On时间
500
300
200
吨S,存储时间(纳秒)
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
五六,下降时间( NS )
图6.上升时间
t′
s
= t
s
1
/
8
t
f
I
B1
= I
B2
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图7.储存时间
图8.下降时间
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