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    MMBT2222ALT3G 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT2222ALT3G图片预览
    型号： MMBT2222ALT3G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 122 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MMBT2222ALT3G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT2222ALT3G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT2222ALT3G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT2222ALT3G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT2222ALT3G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MMBT2222ALT3G的Datasheet PDF文件第7页  
    MMBT2222LT1G ， MMBT2222ALT1G
    F T ，电流增益带宽积（兆赫）
    30
    20
    电容（pF）
    C
    eb
    10
    7.0
    5.0
    C
    cb
    3.0
    2.0
    0.1
    500
    V
    CE
    = 20 V
    T
    J
    = 25°C
    300
    200
    100
    70
    50
    1.0
    0.2 0.3
    0.5 0.7 1.0
    2.0 3.0 5.0 7.0 10
    反向电压（伏）
    20 30
    50
    2.0
    3.0
    5.0 7.0 10
    20 30
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    50
    70 100
    图9.的电容
    1
    V
    CE （ SAT ）
    ，集电极 - 发射极
    饱和电压（ V）
    I
    C
    /I
    B
    = 10
    V
    BE （ SAT ）
    ，基极 - 发射
    饱和电压（ V）
    150°C
    1.3
    1.2
    1.1
    1.0
    0.9
    0.8
    0.7
    0.6
    0.5
    0.4
    0.3
    0.2
    图10.电流增益带宽积
    I
    C
    /I
    B
    = 10
    −55°C
    25°C
    150°C
    0.1
    −55°C
    25°C
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    0.01
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    I
    C
    ，集电极电流（ A）
    I
    C
    ，集电极电流（ A）
    图11.集电极发射极饱和电压
    与集电极电流
    V
    BE（上）
    ，基极发射极电压（V）的
    1.2
    1.1
    1.0
    0.9
    0.8
    0.7
    0.6
    0.5
    0.4
    0.3
    0.2
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    150°C
    25°C
    −55°C
    系数（MV /
    °
    C)
    V
    CE
    = 1 V
    0
    - 0.5
    - 1.0
    - 1.5
    - 2.0
    - 2.5
    +0.5
    图12.基极发射极饱和电压与
    集电极电流
    R
    QVC
    对于V
    CE （ SAT ）
    R
    QVB
    对于V
    BE
    0.1 0.2
    0.5
    I
    C
    ，集电极电流（ A）
    1.0 2.0
    5.0 10 20
    50 100 200
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    500
    图13.基极发射极电压与集电极
    当前
    图14.温度系数
    http://onsemi.com
    5

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