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MMBT2222ALT3G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MMBT2222ALT3G
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 122 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBT2222LT1G , MMBT2222ALT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
小信号特性
集电极基时间常数
(I
E
= 20 MADC ,V
CB
= 20伏, F = 31.8兆赫)
噪声系数
(I
C
= 100
MADC ,
V
CE
= 10伏,R
S
= 1.0千瓦, F = 1.0千赫)
开关特性( MMBT2222A只)
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 30伏直流电,V
BE (OFF)的
=
0.5伏,
I
C
= 150 MADC ,我
B1
= 15 MADC )
(V
CC
= 30伏直流电,我
C
= 150 MADC ,
I
B1
= I
B2
= 15 MADC )
t
d
t
r
t
s
t
f
10
25
225
60
ns
MMBT2222A
MMBT2222A
RB ,C
c
NF
150
4.0
ps
dB
符号
最大
单位
ns
4.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%.
5. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
切换时间等效测试电路
+ 30 V
+16 V
0
-2 V
1.0-100
女士,
占空比
2.0%
1 KW
& LT ; 2纳秒
200
+16 V
0
C
S
* < 10 pF的
-14 V
< 20纳秒
1k
1N914
C
S
* < 10 pF的
1.0-100
女士,
占空比
2.0%
+ 30 V
200
-4 V
范围上升时间< 4纳秒
*测试夹具,连接器和示波器的总并联电容。
图1.开启时间
图2.开启,关闭时间
1000
700
500
的hFE , DC电流增益
300
200
T
J
= 125°C
25°C
100
70
50
30
20
10
0.1
-55°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 10 V
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
70
100
200
300
500 700 1.0 k
图3.直流电流增益
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