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MMBT2907ALT1G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MMBT2907ALT1G
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 110 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MMBT2907ALT1G
典型的小信号特性
噪声系数
V
CE
= 10 VDC ,T
A
= 25°C
V
BE(上)
,基极发射极电压(V)的
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.001
0.01
0.1
1
-2.5
-0.1 -0.2 -0.5 -1.0 -2.0
150°C
25°C
−55°C
系数(MV /
°
C)
V
CE
= 1 V
+0.5
0
R
QVC
对于V
CE ( SAT )
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
R
QVB
对于V
BE
-5.0 -10 -20
-50 -100 -200 -500
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流(毫安)
图13.基极发射极电压与集电极
当前
10
图14.温度系数
10毫秒
1
热限制
IC ( A)
0.1
100毫秒
1s
1毫秒
0.01
单脉冲试验
@ T
A
= 25°C
0.01
0.1
1
V
CE
( VDC)的
10
100
0.001
图15.安全工作区
http://onsemi.com
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