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    MMBT2907ALT1G 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT2907ALT1G图片预览
    型号： MMBT2907ALT1G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 110 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MMBT2907ALT1G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT2907ALT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT2907ALT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT2907ALT1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT2907ALT1G的Datasheet PDF文件第6页  
    MMBT2907ALT1G
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    特征
    开关特性
    集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）
    (I
    C
    =
    −1.0
    MADC ，我
    B
    = 0)
    (I
    C
    =
    −10
    MADC ，我
    B
    = 0)
    集热器
    ： BASE
    击穿电压（I
    C
    =
    −10
    MADC ，
    I
    E
    = 0)
    辐射源
    ： BASE
    击穿电压（I
    E
    =
    −10
    MADC ，
    I
    C
    = 0)
    集电极截止电流（V
    CE
    =
    −30
    VDC ，V
    EB （O FF ）
    =
    −0.5
    VDC ）
    收藏家Cuto FF电流
    (V
    CB
    =
    −50
    VDC ，我
    E
    = 0)
    (V
    CB
    =
    −50
    VDC ，我
    E
    = 0, T
    A
    = 125°C)
    底座截止电流（V
    CE
    =
    −30
    VDC ，V
    EB （O FF ）
    =
    −0.5
    VDC ）
    基本特征
    直流电流增益
    (I
    C
    =
    −0.1
    MADC ，V
    CE
    =
    −10
    VDC ）
    (I
    C
    =
    −1.0
    MADC ，V
    CE
    =
    −10
    VDC ）
    (I
    C
    =
    −10
    MADC ，V
    CE
    =
    −10
    VDC ）
    (I
    C
    =
    −150
    MADC ，V
    CE
    =
    −10
    VDC ）
    (I
    C
    =
    −500
    MADC ，V
    CE
    =
    −10
    VDC ） （注4 ）
    集热器
    ：辐射源
    饱和电压（注4 ）
    (I
    C
    =
    −150
    MADC ，我
    B
    =
    −15
    MADC ） （注4 ）
    (I
    C
    =
    −500
    MADC ，我
    B
    =
    −50
    MADC ）
    BASE
    ：辐射源
    饱和电压（注4 ）
    (I
    C
    =
    −150
    MADC ，我
    B
    =
    −15
    MADC ）
    (I
    C
    =
    −500
    MADC ，我
    B
    =
    −50
    MADC ）
    小信号特性
    当前
    - 获得 -
    带宽积（注4,5 ）
    (I
    C
    =
    −50
    MADC ，V
    CE
    =
    −20
    VDC ， F = 100兆赫）
    输出电容（V
    CB
    =
    −10
    VDC ，我
    E
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    输入电容（V
    EB
    =
    −2.0
    VDC ，我
    C
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    开关特性
    开启时间
    延迟时间
    上升时间
    关断时间
    贮存时间
    下降时间
    (V
    CC
    =
    −6.0
    VDC ，我
    C
    =
    −150
    MADC ，
    I
    B1
    = I
    B2
    =
    −15
    MADC ）
    (V
    CC
    =
    −30
    VDC ，我
    C
    =
    −150
    MADC ，
    I
    B1
    =
    −15
    MADC ）
    t
    on
    t
    d
    t
    r
    t
    关闭
    t
    s
    t
    f
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    45
    10
    40
    100
    80
    30
    ns
    f
    T
    C
    敖包
    C
    IBO
    200
    −
    −
    −
    8.0
    30
    兆赫
    pF
    h
    FE
    −
    75
    100
    100
    100
    50
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    300
    −
    VDC
    −0.4
    −1.6
    VDC
    −1.3
    −2.6
    V
    （ BR ） CEO
    −60
    −60
    −60
    −5.0
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −50
    −0.010
    −10
    −50
    VDC
    符号
    民
    最大
    单位
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CEX
    I
    CBO
    VDC
    VDC
    NADC
    MADC
    I
    BL
    NADC
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    4.脉冲测试：脉冲宽度
    v
    300
    女士，
    占空比
    v
    2.0%.
    5. f
    T
    被定义为频率在哪些| H
    fe
    |推断团结。
    输入
    Z
    o
    = 50
    W
    PRF = 150 PPS
    上升时间
    ≤
    2.0纳秒
    P.W. < 200纳秒
    0
    -16 V
    200纳秒
    50
    1.0 k
    输入
    Z
    o
    = 50
    W
    PRF = 150 PPS
    上升时间
    ≤
    2.0纳秒
    P.W. < 200纳秒
    0
    -30 V
    200纳秒
    +15 V
    -6.0 V
    37
    到示波器
    上升时间
    ≤
    5.0纳秒
    1N916
    -30 V
    200
    1.0 k
    1.0 k
    50
    到示波器
    上升时间
    ≤
    5.0纳秒
    图1.延迟和上升时间测试电路
    图2.存储和下降时间测试电路
    http://onsemi.com
    2

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