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MJE172 参数 Datasheet PDF下载

MJE172图片预览
型号: MJE172
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内容描述: 塑料互补硅功率晶体管40 - 60 - 80伏12.5沃茨 [Complementary Plastic Silicon Power Transistors 40 − 60 − 80 VOLTS 12.5 WATTS]
分类和应用: 晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小: 6 页 / 83 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MJE170 , MJE171 , MJE172 ( PNP ) , MJE180 , MJE181 , MJE182 ( NPN )
有源区的安全工作区
10
IC ,集电极电流( AMP )
IC ,集电极电流( AMP )
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
dc
5.0毫秒
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热@
T
C
= 25°C (单脉冲)
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
MJE171
MJE172
2.0 3.0
5.0
10
20 30
50
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
100
ms
500
ms
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
5.0毫秒
dc
100
ms
500
ms
0.05
0.02
0.01
1.0
0.05
0.02
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热@
T
C
= 25°C (单脉冲)
二次击穿有限公司
曲线适用于低于MJE181
为V
首席执行官
MJE182
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
100
0.01
1.0
图5. MJE171 , MJE172
图6. MJE181 , MJE182
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管 - 平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
− V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即,晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5和图6的数据是基于T
J(下PK)
= 150_C ;牛逼
C
是可变的取决于条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比为10%的规定
T
J(下PK)
t
150℃。牛逼
J(下PK)
可以从在数据计算
图4.在高温情况下,热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
10K
5K
3K
2K
1K
T, TIME ( NS )
500
300
200
100
50
30
20
10
0.01
0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3
0.5
1
2
3
5
t
f
NPN MJE181 / 182
PNP MJE171 / 172
t
s
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
100
70
C,电容(pF )
50
PNP MJE171 / MJE172
NPN MJE181 / MJE182
C
ib
T
J
= 25°C
30
20
C
ob
10
10
0.5 0.7 1.0
I
C
,集电极电流( AMPS )
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
V
R
,反向电压(伏)
30
50
图7.开启,关闭时间
图8.电容
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