MJE170 ， MJE171 ， MJE172 （ PNP ） ， MJE180 ， MJE181 ， MJE182 （ NPN ）
T
A
2.8
PD ，功耗（瓦）
2.4
2.0
T
C
14
12
10
T
C
1.6 8.0
1.2 6.0
0.8 4.0
0.4 2.0
0
0
T
A
20
40
60
80
100
120
140
160
T，温度（ ° C）
图1.功率降额
V
CC
+30 V
R
C
R
B
D
1
范围
T， TIME （ NS ）
1K
500
300
200
100
50
30
20
10
5
3
2
NPN MJE181 / 182
PNP MJE171 / 172
3
5
10
t
r
V
CE
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
V
BE （OFF）的
= 4.0 V
T
J
= 25°C
25
ms
+11 V
0
−9.0 V
51
t
r
, t
f
≤
10纳秒
−4 V
占空比=
1.0%
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复类型，例如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
适用于PNP测试电路，翻转所有的极性。
t
d
1
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
1
2
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
图2.开关时间测试电路
图3.开启时间
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0 （单脉冲）
q
JC
（吨） = R （t）的
q
JC
q
JC
= 10 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
− T
C
= P
（ PK）
q
JC
(t)
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
吨，时间（ ms）的
5.0
10
20
50
100
200
图4.热响应
http://onsemi.com
3
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
