MJE13005 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MJE13005
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内容描述：	4安培NPN硅功率晶体管400伏 - 75瓦 [4 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 75 WATTS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 105 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

MJE13005

安全工作区信息

安全工作区图11和12被指定为显示的测试条件下，这些设备评级。

500

IC （ PK），集电极电流（ AMP ）

IC ，集电极电流（ AMP ）

0.5

0.2

0.1

1毫秒

5毫秒

≤

100°C

= 2.0 A

BE （OFF）的

= 9 V

0.05

0.02

0.01

MJE13005

70 100

200 300

，集电极 - 发射极电压（伏）

500

400

MJE13005

1.5 V

700

800

100

200

300

400

500

600

，集电极 - 发射极钳位电压（伏）

图11.正向偏置安全工作区

正向偏压

图12.反向偏置开关安全工作区

反向偏置

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

− V

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图11的数据是基于T

= 25°C ;吨

J（下PK）

变量取决于功率电平。二次击穿

脉冲限制是有效的占空比以10％，但必须是

降级当T

≥

25_C 。二次击穿限制做

不减免一样的热限制。允许

当前，在上图11所示的电压可以在以下网址找到

通过使用合适的曲线任何情况下温度

图13 。

J（下PK）

可以从数据计算在图10中在

高的情况下，热限制将减少

可处理到值小于限制功率

通过二次击穿的罚款。

为电感性负载，高电压和高电流必须

关断期间的同时持续，在大多数情况下，

与基极 - 射极结反向偏置。在这些

条件的集电极电压必须保持在安全水平

在等于或低于集电极电流的一个特定值。这可以是

通过以下几种方式，例如有源钳位， RC完成

不压井作业，载重线成型等。安全级别为这些

设备被指定为反向偏置安全工作区

并表示在电压 - 电流条件

反向偏置关断。这个等级下得到验证

夹紧条件，使该装置从未经受

雪崩模式。图12给出了完整的RBSOA

的特点。

功率降额因子

0.8

0.6

第二击穿

降额

热

降额

0.4

0.2

100

120

140

160

，外壳温度（ ° C）

图13.正向偏压功率降额

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