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型号: MJE13005
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内容描述: 4安培NPN硅功率晶体管400伏 - 75瓦 [4 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 75 WATTS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 105 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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MJE13005
首选设备
SWITCHMODEt系列
NPN硅功率
晶体管
这些器件专为高电压,高转速动力
开关电感电路中的下降时间是至关重要的。他们是
特别适用于115和220伏开关模式的应用程序
如开关稳压器的,逆变器,马达控制,
电磁阀/继电器驱动器和偏转电路。
特点
http://onsemi.com
V
CEO ( SUS )
400 V
反向偏置SOA与感性负载@ T
C
= 100_C
电感式开关矩阵2至4 A, 25和100_C吨
c
@ 3A,
100_C是180纳秒(典型值)
700V的阻断能力
SOA和开关应用信息
无铅包装是可用*
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
发射极电流
- 连续
- 山顶(注1 )
- 连续
- 山顶(注1 )
- 连续
- 山顶(注1 )
符号
V
CEO ( SUS )
V
CEV
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
I
E
I
EM
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
400
700
9
4
8
2
4
6
12
2
16
75
600
-65〜
+150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
ADC
4安培
NPN硅
功率晶体管
400伏 - 75瓦
1
2
TO−220AB
CASE 221A -09
风格1
3
标记图
MJE13005G
W
W / ℃,
W
W / ℃,
_C
A
位置
Y
WW
G
AGE
设备
MJE13005
MJE13005G
•大会
=年
=工作周
=无铅封装
AY WW
器件总功耗@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
最大无铅焊接温度的
目的1/8“案件从5秒
符号
R
qJA
R
QJC
T
L
最大
62.5
1.67
275
单位
° C / W
° C / W
_C
订购信息
TO−220
TO−220
(无铅)
航运
50单位/铁
50单位/铁
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.脉冲测试:脉冲宽度= 5毫秒,占空比
10%.
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年2月, - 启示录7
出版订单号:
MJE13005/D