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    MJD45H11T4G 参数 Datasheet PDF下载

    MJD45H11T4G图片预览
    型号： MJD45H11T4G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 互补功率晶体管 [Complementary Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管开关
    文件页数/大小： 9 页 / 132 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MJD45H11T4G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MJD45H11T4G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJD45H11T4G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MJD45H11T4G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MJD45H11T4G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MJD45H11T4G的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MJD45H11T4G的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MJD45H11T4G的Datasheet PDF文件第9页  
    MJD44H11 ， NJVMJD44H11 （ NPN ） ， MJD45H11 ， NJVMJD45H11 （ PNP ）
    1.4
    V
    BE （ SAT ）
    ， BASE- EMIT饱和
    电压（V）的
    V
    BE （ SAT ）
    ， BASE- EMIT饱和
    电压（V）的
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    0.01
    0.1
    1
    150°C
    IC / IB = 20
    10
    −55°C
    25°C
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    0.01
    0.1
    1
    150°C
    IC / IB = 20
    10
    −55°C
    25°C
    I
    C
    ，集电极电流（ A）
    I
    C
    ，集电极电流（ A）
    图10. MJD44H11饱和电压
    V
    BE （ SAT ）
    V
    CE
    ，集电极 - 发射极电压（ V）
    V
    CE
    ，集电极 - 发射极电压（ V）
    2.0
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2 I
    C
    = 0.1 A 0.5 A
    0
    0.1
    1
    1A
    10
    I
    C
    = 3 A
    100
    1000
    10,000
    I
    C
    = 8 A
    T
    A
    = 25°C
    2.0
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    图11. MJD45H11饱和电压
    V
    BE （ SAT ）
    T
    A
    = 25°C
    I
    C
    = 8 A
    I
    C
    = 3 A
    1A
    10
    100
    1000
    10,000
    0.2 I = 0.1 A 0.5 A
    C
    0
    0.1
    1
    I
    B
    ，基极电流（毫安）
    I
    B
    ，基极电流（毫安）
    图12. MJD44H11集电极饱和
    地区
    1000
    1000
    图13. MJD45H11集电极饱和
    地区
    C，电容（pF ）
    C，电容（pF ）
    COB
    COB
    100
    100
    10
    0.1
    1
    10
    100
    10
    0.1
    1
    10
    100
    V
    R
    ，反向电压（V）的
    V
    R
    ，反向电压（V）的
    图14. MJD44H11电容
    图15. MJD45H11电容
    http://onsemi.com
    6

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