MJD44H11 ， NJVMJD44H11 （ NPN ） ， MJD45H11 ， NJVMJD45H11 （ PNP ）
电气特性
(T
A
= 25_C ，共同为NPN和PNP ，减号，“ - ” ，对于PNP省略，除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极耐受电压
(I
C
= 30 mA时，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
BE
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5 V直流）
基本特征
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.4 ADC）
基射极饱和电压
(I
C
= 8 ADC ，我
B
= 0.8 ADC）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 2 ADC）
直流电流增益
(V
CE
= 1伏，我
C
= 4 ADC）
动态特性
集电极电容
(V
CB
= 10 VDC ，女
TEST
= 1兆赫）
MJD44H11 ， NJVMJD44H11G ， / T4G / RLG
MJD45H11 ， NJVMJD45H11T4G / RLG
C
cb
pF
45
130
兆赫
85
90
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
60
40
1
1.5
VDC
VDC
−
V
CEO （ SUS ）
I
CES
I
EBO
80
1.0
1.0
VDC
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
增益带宽积
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 20 MHz）的MJD44H11 ， NJVMJD44H11G ， / T4G / RLG
MJD45H11 ， NJVMJD45H11T4G / RLG
开关时间
延迟和上升时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= 0.5 ADC）
贮存时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC）
下降时间
(I
C
= 5 ADC ，我
B1
= I
B2
= 0.5 ADC
MJD44H11 ， NJVMJD44H11G ， / T4G / RLG
MJD45H11 ， NJVMJD45H11T4G / RLG
MJD44H11 ， NJVMJD44H11G ， / T4G / RLG
MJD45H11 ， NJVMJD45H11T4G / RLG
MJD44H11 ， NJVMJD44H11G ， / T4G / RLG
MJD45H11 ， NJVMJD45H11T4G / RLG
f
T
t
d
+ t
r
ns
300
135
ns
500
500
ns
140
100
t
s
t
f
http://onsemi.com
3
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
