LM211 ， LM311
电气特性
(V
CC
= +15 V, V
EE
= -15 V，T
A
= 25 ℃，除非另有说明）备注1
LM211
特征
输入失调电压（注3 ）
R
S
≤
50千瓦，T
A
= +25°C
R
S
≤
50千瓦，T
低
≤
T
A
≤
T
高
*
输入失调电流（注3 ）T
A
= +25°C
T
低
≤
T
A
≤
T
高
*
输入偏置电流T
A
= +25°C
T
低
≤
T
A
≤
T
高
*
电压增益
响应时间（注4）
饱和电压
V
ID
≤
-5.0 mV时，我
O
= 50毫安，T
A
= 25°C
V
ID
≤−10
mV时，我
O
= 50毫安，T
A
= 25°C
V
CC
≥
4.5 V, V
EE
= 0, T
低
≤
T
A
≤
T
高
*
V
ID
6≤6.0
mV时，我
SINK
≤
8.0毫安
V
ID
6≤10
mV时，我
SINK
≤
8.0毫安
频闪“开”电流（注5 ）
输出漏电流
V
ID
≥
5.0毫伏，V
O
= 35 V ，T
A
= 25 ° C，I
频闪
= 3.0毫安
V
ID
≥
10毫伏，
V
O
= 35 V ，T
A
= 25 ° C，I
频闪
= 3.0毫安
V
ID
≥
5.0毫伏，
V
O
= 35 V ，T
低
≤
T
A
≤
T
高
*
输入电压范围（T
低
≤
T
A
≤
T
高
*)
V
ICR
V
OL
−
−
−
−
I
S
−
−
−
−
−14.5
0.75
−
0.23
−
3.0
0.2
−
0.1
−14.7
to
13.8
+2.4
−1.3
1.5
−
0.4
−
−
10
−
0.5
+13.0
−
−
−
−
−
−
−
−
−14.5
−
0.75
−
0.23
3.0
−
0.2
−
−14.7
to
13.8
+2.4
−1.3
−
1.5
−
0.4
−
−
50
−
+13.0
mA
nA
nA
mA
V
符号
V
IO
−
−
I
IO
I
IB
A
V
−
−
−
−
40
−
0.7
−
1.7
−
45
−
200
200
3.0
4.0
10
20
100
150
−
−
−
−
−
−
−
−
40
−
2.0
−
1.7
−
45
−
200
200
7.5
10
50
70
250
300
−
−
nA
nA
V / MV
ns
V
民
典型值
最大
民
LM311
典型值
最大
单位
mV
正电源电流
负电源电流
I
CC
I
EE
−
−
+6.0
−5.0
−
−
+7.5
−5.0
mA
mA
* LM211 ：T已
低
= -25 ° C，T
高
= +85°C
LM311 ：T已
低
= 0° C，T
高
= +70°C
1.失调电压，失调电流和偏置电流规格多达申请的电源电压范围从单一5.0 V电源
±15
V电源。
2.该评级适用于
±15
V电源。正输入电压限制为30伏以上的负电源。负输入电压限制为
等于低于正电源与负电源电压或30V，以较短者为准。
3.偏移电压和偏移给定的电流以驱动任一电源的电压范围内的输出与一个1.0毫安所需的最大值
负载。因此，这些参数定义一个错误频带和考虑到的电压增益和输入阻抗的“最坏情况”的效果。
4.指定的响应时间为5.0 mV过一个100毫伏的输入步骤。
5.不要短暂的闪光引脚接地;它应该是当前在3.0毫安从动〜5.0毫安。
8
V
CC
平衡
平衡/频闪
5
6
1.3 k
300
300
3.7 k
1.3 k
100
3.7 k
300
250
900
600
800
2
输入
3
730
340
1.3 k
1
1.3 k
5.4 k
4
V
EE
GND
5.0 k
7
200
产量
800
800
3.0 k
图2.电路原理图
http://onsemi.com
3
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
