LM211 ， LM311
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设备
LM211D
LM211DG
LM211DR2
LM211DR2G
LM311D
LM311DG
LM311DR2
LM311DR2G
LM311N
LM311NG
包
SOIC−8
SOIC−8
（无铅）
SOIC−8
SOIC−8
（无铅）
SOIC−8
SOIC−8
（无铅）
SOIC−8
SOIC−8
（无铅）
PDIP−8
PDIP−8
（无铅）
航运
†
98单位/铁
98单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
98单位/铁
98单位/铁
2500单位/磁带&卷轴
2500单位/磁带&卷轴
50单位/铁
50单位/铁
†有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
最大额定值
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
等级
总电源电压
输出到负电源电压
地面上负电源电压
输入差分电压
输入电压（注2 ）
电压引脚频闪
功耗和热特性
塑料DIP
减免上述牛逼
A
= +25°C
工作环境温度范围
工作结温
存储温度范围
符号
V
CC
+⎥V
EE
⎥
V
O
−V
EE
V
EE
V
ID
V
in
−
P
D
R
qJA
T
A
T
J（下最大）
T
英镑
-25至+85
+150
-65到+150
LM211
36
50
30
±30
±15
V
CC
到V
CC
−5
625
5.0
0至+70
+150
-65到+150
LM311
36
40
30
±30
±15
V
CC
到V
CC
−5
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
http://onsemi.com
2
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
