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BDX53C 参数 Datasheet PDF下载

BDX53C图片预览
型号: BDX53C
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内容描述: 塑料中功率互补硅晶体管 [Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小: 7 页 / 101 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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BDX53B , BDX53C ( NPN ) , BDX54B , BDX54C ( PNP )
10,000
HFE ,小信号电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1.0
2.0
C,电容(pF )
300
T
J
= + 25°C
200
T
J
= 25°C
V
CE
= 3.0 V
I
C
= 3.0 A
PNP
NPN
5.0
10
20
50 100
男,频率(KHz )
200
500
1000
100
70
50
PNP
NPN
30
0.1
0.2
C
ib
C
ob
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
V
R
,反向电压(伏)
50
100
图6.小信号电流增益
图7.电容
NPN
BDX53B , 53C
20,000
V
CE
= 4.0 V
10,000
的hFE , DC电流增益
5000
3000
2000
1000
- 55°C
500
300
200
0.1
T
J
= 150°C
10,000
的hFE , DC电流增益
5000
3000
2000
1000
500
300
200
0.1
- 55°C
25°C
T
J
= 150°C
20,000
PNP
BDX54B , 54C
V
CE
= 4.0 V
25°C
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流( AMP )
5.0 7.0 10
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流( AMP )
5.0 7.0
10
图8.直流电流增益
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
3.0
T
J
= 25°C
2.6
I
C
= 2.0 A
2.2
4.0 A
6.0 A
3.0
T
J
= 25°C
2.6
I
C
= 2.0 A
2.2
4.0 A
6.0 A
1.8
1.8
1.4
1.4
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
B
,基极电流(毫安)
20
30
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
I
B
,基极电流(毫安)
10
20
30
图9.集电极饱和区
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