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BDX53C 参数 Datasheet PDF下载

BDX53C图片预览
型号: BDX53C
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内容描述: 塑料中功率互补硅晶体管 [Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小: 7 页 / 101 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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BDX53B , BDX53C ( NPN ) , BDX54B , BDX54C ( PNP )
R
B
和R
C
变化,以获得所需的电流水平
D
1
必须快速恢复类型,例如:
1N5825上面使用我
B
[
百毫安
MSD6100下使用我
B
[
百毫安
TUT
R
B
V
2
V
CC
- 30 V
R
C
5.0
3.0
2.0
范围
T, TIME (
μ
s)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.1
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
0.2
t
r
t
f
t
s
+ 8.0 V
0
V
1
51
D
1
+ 4.0 V
[
8.0 k
[
120
25
ms
-12 V
t
r
, t
f
v
10纳秒
占空比= 1.0 %
对于T
d
和T
r
, D
1
断开
和V
2
= 0
适用于NPN测试电路翻转所有极性
t
d
@ V
BE (OFF)的
= 0 V
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流( AMP )
5.0 7.0 10
图2.开关时间测试电路
图3.开关时间
R(T )有效的瞬变
热电阻(标准化)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
t
1
0.01
单脉冲
t
2
单身
脉冲
P
( PK)
R
QJC
(吨)= R(T )R
QJC
R
QJC
= 1.92 ° C / W
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT&T
1
T
J(下PK)
- T
C
= P
( PK)
R
QJC
(t)
50
100
200 300
500
1000
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
占空比D = T
1
/t
2
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
吨,时间或脉冲宽度(毫秒)
20
30
图4.热响应
20
IC ,集电极电流( AMP )
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
5.0毫秒
1.0毫秒
100
ms
500
ms
dc
T
J
= 150°C
键合丝有限公司
限热@ T
C
= 25°C
(单脉冲)
二次击穿有限公司
曲线适用于低于额定V
首席执行官
BDX53B , BDX54B
BDX53C , BDX54C
2.0 3.0
5.0 7.0 10
50
20 30
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
70 100
0.05
0.02
1.0
有对的功率处理能力两方面的局限性
一个晶体管平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
-V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作,也就是,晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J(下PK)
= 150
°
℃;吨
C
is
可变根据条件。其次,脉细数
限制是有效的占空比以10%以下
T
J(下PK)
t
150
°
C.吨
J(下PK)
可以从在数据计算
图4.在高温情况下,热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图5.活动区安全工作区
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