BAS21LT1G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BAS21LT1G
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内容描述：	高压开关二极管 [High Voltage Switching Diode]
分类和应用：	二极管开关高压
文件页数/大小：	6 页 / 56 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

BAS19LT1 ， BAS20LT1 ， BAS21LT1 ， BAS21DW5T1

820

+10 V

2.0 k

100

0.1

D.U.T.

产量

脉冲

发电机

输入

采样

示波器

90%

输入信号

R（ REC ）

= 3.0毫安

输出脉冲

= I

= 30毫安;实测

在我

R（ REC ）

= 3.0 mA）的

0.1

10%

注意事项： 1. 2.0千瓦的可变电阻调整为正向电流（I

）为30 mA 。

注意事项：

2.输入脉冲进行调整，使我

R（峰）

是等于30毫安。

注意事项：

3. t

» t

图1.恢复时间等效测试电路

1200

= −55°C

正向电压（MV ）

反向电流（ NA）

1000

800

155°C

600

400

200

100

1000

正向电流（mA ）

25°C

7000

6000

5000

4000

3000

= 155°C

= 25°C

= −55°C

100 200 300

反向电压（ V）

图2.正向电压

图3.反向泄漏

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