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BAS21LT1G 参数 Datasheet PDF下载

BAS21LT1G图片预览
型号: BAS21LT1G
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内容描述: 高压开关二极管 [High Voltage Switching Diode]
分类和应用: 二极管开关高压
文件页数/大小: 6 页 / 56 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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BAS19LT1 , BAS20LT1 ,
BAS21LT1 , BAS21DW5T1
首选设备
高压
开关二极管
器件标识:
BAS19LT1 = JP
BAS20LT1 = JR
BAS21LT1 = JS
BAS21DW5T1 = JS
特点
http://onsemi.com
高压
开关二极管
SOT−23
3
1
阴极
阳极
SC−88A
5
1
阴极
阳极
4
阴极
3
阳极
无铅包可用
最大额定值
等级
连续反向电压
BAS19
BAS20
BAS21
反向重复峰值电压
BAS19
BAS20
BAS21
连续正向电流
峰值正向浪涌电流
最高结温
功率耗散(注4 )
I
F
I
FM (浪涌)
T
JMAX
P
D
V
RRM
120
200
250
200
625
150
385
MADC
MADC
°C
mW
符号
V
R
120
200
250
VDC
价值
单位
VDC
标记DIAGRAMS
JX M
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318
风格8
JX =具体设备守则
X = P, R或S
M =日期代码
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.安装在FR- 5局= 1.0 X 0.75 X 0.062英寸
XX
d
SC- 88A ( SOT- 353 )
CASE 419A
XX =具体设备守则
d
=日期代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年4月 - 启示录7
出版订单号:
BAS19LT1/D