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74HC132 参数 Datasheet PDF下载

74HC132图片预览
型号: 74HC132
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内容描述: 四2输入与非门施密特触发器输入高性能硅栅CMOS [Quad 2−Input NAND Gate with Schmitt−Trigger Inputs High−Performance Silicon−Gate CMOS]
分类和应用: 触发器
文件页数/大小: 9 页 / 135 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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74HC132
DC电气特性
(电压参考GND)
V
CC
符号
V
T+
最大
参数
最大正向
输入阈值电压
(图5)
最小正向
输入阈值电压
(图5)
最大负向
输入阈值电压
(图5)
最低负向
输入阈值电压
(图5)
最大滞后
电压
(图5)
最小滞后
电压
(图5)
最小高级别
输出电压
测试条件
V
OUT
= 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IN
v
V
T−
MIN或V
T+
最大
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IN
v
−V
T−
MIN或V
T+
最大
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
(V)
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
4.5
6.0
6.0
6.0
1.5
3.15
4.2
1.0
2.3
3.0
0.9
2.0
2.6
0.3
0.9
1.2
1.2
2.25
3.0
0.2
0.4
0.5
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
$0.1
2.0
保证限额
*55_C
至25℃
v85_C
1.5
3.15
4.2
0.95
2.25
2.95
0.95
2.05
2.65
0.3
0.9
1.2
1.2
2.25
3.0
0.2
0.4
0.5
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
$1.0
20
v125_C
1.5
3.15
4.2
0.95
2.25
2.95
0.95
2.05
2.65
0.3
0.9
1.2
1.2
2.25
3.0
0.2
0.4
0.5
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
$1.0
40
mA
mA
V
单位
V
V
T+
V
V
T–
最大
V
V
T–
V
V
H
最大
(注7 )
V
H
(注7 )
V
OH
V
V
V
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
V
T+
最大
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IN
V
T+
最大
I
IN
I
CC
最大输入漏
当前
最大静态
电源电流
(每包)
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
7. V
H
u
(V
T+
分)
*
(V
T−
最大) ; V
H
最大= (V
T+
MAX )
)
(V
T−
分钟)。
典型参数值8的信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)被发现。
http://onsemi.com
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