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74HC132 参数 Datasheet PDF下载

74HC132图片预览
型号: 74HC132
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内容描述: 四2输入与非门施密特触发器输入高性能硅栅CMOS [Quad 2−Input NAND Gate with Schmitt−Trigger Inputs High−Performance Silicon−Gate CMOS]
分类和应用: 触发器
文件页数/大小: 9 页 / 135 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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74HC132
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
P
D
MSL
F
R
V
ESD
I
闭锁
正直流电源电压
数字输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流,每个引脚
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
在偏置结温
热阻
功率消耗在静止空气中的85_C
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
闭锁性能
氧指数: 30 %
35%
人体模型(注1 )
机器模型(注2 )
上述V
CC
及以下GND在85_C (注3 )
14−SOIC
14−TSSOP
SOIC
TSSOP
输出三态
高电平或者低电平状态
参数
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5
to
)7.0
*0.5
to
)7.0
*0.5
到V
CC
)0.5
*20
$20
$25
$75
$75
*65
to
)150
260
)150
125
170
500
450
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
u2000
u200
$300
V
mA
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
_C
_C
_C
° C / W
mW
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
2.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
3.经测试EIA / JESD78 。
4.对于高频率或高负载事项,请参阅第一章2the安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度,所有封装类型
输入上升和下降时间(图3 )
2.0
0
*55
最大
6.0
V
CC
)125
无极限
(注5 )
单位
V
V
_C
ns
5.当V
IN
X
0.5 V
CC
, I
CC
>>静态电流。
6.未使用的输入可能不会悬空。所有输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
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