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2N5551 参数 Datasheet PDF下载

2N5551图片预览
型号: 2N5551
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内容描述: mplifier晶体管( NPN硅) [mplifier Transistors(NPN Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 75 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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2N5550, 2N5551
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
I
B
,基极电流(毫安)
2.0
5.0
10
20
50
I
C
= 1.0毫安
10毫安
30毫安
百毫安
图2.集电极饱和区
10
1
V
CE
= 30 V
IC ,集电极电流(
µ
A)
10
0
10
−1
10
−2
10
−3
10
−4
10
−5
0.4
T
J
= 125°C
I
C
= I
CES
75°C
反向
25°C
前锋
0.3
0.2 0.1
0
0.1
0.2 0.3
0.4
V
BE
,基极发射极电压(伏)
0.5
0.6
图3.集电极截止区
θ
V,温度系数(毫伏/
°
C)
1.0
0.8
V,电压(V )
T
J
= 25°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
− 0.5
− 1.0
− 1.5
− 2.0
− 2.5
0.1
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0
10 20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
100
q
VB
对于V
BE ( SAT )
q
VC
对于V
CE ( SAT )
T
J
= - 55 ° C至+ 135°C的
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
0.4
0.2
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0 2.0 3.0 5.0
10 20 30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
100
图4. “开”电压
图5.温度系数
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