2N5551 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N5551
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内容描述：	mplifier晶体管（ NPN硅） [mplifier Transistors(NPN Silicon)]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 75 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

2N5550, 2N5551

首选设备

放大器晶体管

NPN硅

特点

•

无铅包可用*

•

器件标识：设备类型，如2N5550 ，日期代码

http://onsemi.com

集热器

BASE

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

器件总功耗

@ T

= 25°C

减免上述25℃

器件总功耗

@ T

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

符号

首席执行官

CBO

EBO

625

5.0

1.5

, T

英镑

-55到+150

毫瓦/°C的

°C

55xx

具体设备守则

=年

=工作周

毫瓦/°C的

TO−92

CASE 29

风格1

55xx

YWW

2N5550 2N5551

140

160

6.0

600

160

180

单位

VDC

MADC

辐射源

记号

图

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第3页。

热特性

特征

热阻，

结到环境

热阻，

结到外壳

符号

qJA

QJC

最大

200

83.3

单位

° C / W

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术参考

手动， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

2004年6月 - 第3版

出版订单号：

2N5550/D

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