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    2N5401 参数 Datasheet PDF下载

    2N5401图片预览
    型号： 2N5401
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 放大器晶体管PNP硅 [Amplifier Transistors PNP Silicon]
    分类和应用： 晶体放大器晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 84 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N5401的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N5401的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N5401的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N5401的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N5401的Datasheet PDF文件第6页  
    2N5400, 2N5401
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    特征
    开关特性
    集电极 - 发射极击穿电压
    (1)
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，我
    B
    = 0)
    集电极 - 基极击穿电压
    (I
    C
    = 100
    MADC ，
    I
    E
    = 0)
    发射极 - 基极击穿电压
    (I
    E
    = 10
    MADC ，
    I
    C
    = 0)
    收藏家Cuto FF电流
    (V
    CB
    = 100伏，我
    E
    = 0)
    (V
    CB
    = 120伏，我
    E
    = 0)
    (V
    CB
    = 100伏，我
    E
    = 0, T
    A
    = 100°C)
    (V
    CB
    = 120伏，我
    E
    = 0, T
    A
    = 100°C)
    发射Cuto FF电流
    (V
    EB
    = 3.0伏，我
    C
    = 0)
    基本特征
    （注1 ）
    直流电流增益
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，V
    CE
    = 5.0伏）
    h
    FE
    2N5400
    2N5401
    2N5400
    2N5401
    2N5400
    2N5401
    V
    CE （ SAT ）
    −
    −
    V
    BE （ SAT ）
    −
    −
    1.0
    1.0
    0.2
    0.5
    VDC
    30
    50
    40
    60
    40
    50
    −
    −
    180
    240
    −
    −
    VDC
    −
    2N5400
    2N5401
    2N5400
    2N5401
    I
    EBO
    V
    （ BR ） CEO
    2N5400
    2N5401
    V
    （ BR ） CBO
    2N5400
    2N5401
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    −
    −
    −
    −
    −
    100
    50
    100
    50
    50
    NADC
    MADC
    NADC
    130
    160
    5.0
    −
    −
    −
    VDC
    120
    150
    −
    −
    VDC
    VDC
    符号
    民
    最大
    单位
    (I
    C
    = 10 MADC ，V
    CE
    = 5.0伏）
    (I
    C
    = 50 MADC ，V
    CE
    = 5.0伏）
    集电极 - 发射极饱和电压
    (I
    C
    = 10 MADC ，我
    B
    = 1.0 MADC ）
    (I
    C
    = 50 MADC ，我
    B
    = 5.0 MADC ）
    基射极饱和电压
    (I
    C
    = 10 MADC ，我
    B
    = 1.0 MADC ）
    (I
    C
    = 50 MADC ，我
    B
    = 5.0 MADC ）
    小信号特性
    电流增益 - 带宽积
    (I
    C
    = 10 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ， F = 100兆赫）
    输出电容
    (V
    CB
    = 10 VDC ，我
    E
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    小信号电流增益
    (I
    C
    = 1.0 MADC ，V
    CE
    = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
    噪声系数
    (I
    C
    = 250
    MADC ，
    V
    CE
    = 5.0伏，R
    S
    = 1.0千瓦， F = 1.0千赫）
    1.脉冲测试：脉冲宽度
    ≤
    300
    女士，
    占空比
    ≤
    2.0%.
    f
    T
    2N5400
    2N5401
    C
    敖包
    h
    fe
    2N5400
    2N5401
    NF
    30
    40
    −
    200
    200
    8.0
    100
    100
    −
    400
    300
    6.0
    兆赫
    pF
    −
    dB
    http://onsemi.com
    2

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