2N5401 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N5401
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内容描述：	放大器晶体管PNP硅 [Amplifier Transistors PNP Silicon]
分类和应用：	晶体放大器晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 84 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

2N5400, 2N5401

首选设备

放大器晶体管

PNP硅

特点

•

无铅包可用*

http://onsemi.com

集热器

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

器件总功耗

@ T

= 25°C

减免上述25℃

器件总功耗

@ T

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

符号

首席执行官

CBO

EBO

625

5.0

1.5

, T

英镑

-55到+150

瓦

毫瓦/°C的

°C

毫瓦/°C的

TO−92

CASE 29

风格1

2N5400 2N5401

120

130

5.0

600

150

160

单位

VDC

MADC

辐射源

BASE

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（去甲不

MAL运行条件下），同时无效。如果这些限制是EX-

超过容许，设备功能操作不暗示，可能会损坏和可靠性

能力可能受到影响。

标记图

540x

AYWWG

热特性

特征

热阻，

结到环境

热阻，

结到外壳

符号

qJA

QJC

最大

200

83.3

单位

° C / W

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

*有关我们的无铅策略的更多信息

和焊接的详细信息，请下载

安森美半导体焊接与安装

技术参考手册， SOLDERRM / D 。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年12月 - 第1版

出版订单号：

2N5400/D

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