2N4401 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N4401
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内容描述：	通用晶体管（ NPN硅） [General Purpose Transistors(NPN Silicon)]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 306 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

2N4400 2N4401

小信号特性

噪声系数

VCE = 10 VDC ， TA = 25°C

带宽= 1.0赫兹

IC = 1.0 mA时， RS = 150

Ω

IC = 500

µA,

RS = 200

Ω

IC = 100

µA,

RS = 2.0千欧

IC = 50

µA,

RS = 4.0千欧

RS =优化

RS =

来源

RS =

阻力

F = 1.0千赫

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

IC = 50

µA

IC = 100

µA

IC = 500

µA

IC = 1.0毫安

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

6.0

4.0

2.0

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2

2.0

0.5 1.0 2.0 5.0

100

100 200

500 1.0 k 2.0 k

5.0 k 10 k 20 k

50 k 100 k

RS ，源电阻（欧姆）

男，频率（KHz ）

图9.频率的影响

图10.源电阻的影响

h参数值

VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫， TA = 25℃

同时从2N4400和2N4401线，并且所选择的

这组图形示出的关系

同一单位被用于开发相应num-

HFE等“ H”参数，这个系列的晶体管。对

巴列曲线，每个曲线图上。

获得这些曲线，高增益和低增益单元分别

300

缺氧缺血性脑病，输入阻抗（欧姆）

200

hFE参数，电流增益

50 k

2N4401 UNIT 1

2N4401 UNIT 2

2N4400 UNIT 1

2N4400 UNIT 2

20 k

10 k

5.0 k

100

0.1

2N4401 UNIT 1

2N4401 UNIT 2

2N4400 UNIT 1

2N4400 UNIT 2

2.0 k

1.0 k

500

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

IC ，集电极电流（毫安）

图11.电流增益

ħ重，电压反馈比例（ X 10

–4

)

锄头，输出导纳（

姆欧）

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

100

图12.输入阻抗

2N4401 UNIT 1

2N4401 UNIT 2

2N4400 UNIT 1

2N4400 UNIT 2

5.0

2.0

1.0

0.1

2N4401 UNIT 1

2N4401 UNIT 2

2N4400 UNIT 1

2N4400 UNIT 2

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

IC ，集电极电流（毫安）

图13.电压反馈比例

图14.输出导纳

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

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