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2N4401 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N4401
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内容描述: 通用晶体管( NPN硅) [General Purpose Transistors(NPN Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 306 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过2N4400 / D
通用晶体管
NPN硅
2N4400
2N4401*
*摩托罗拉的首选设备
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
1
2
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ , TSTG
价值
40
60
6.0
600
625
5.0
1.5
12
- 55 〜+ 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
°C
CASE 29-04 ,风格1
TO-92 (TO- 226AA )
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 1 )
( IC = 1.0 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压
(IC = 0.1 MADC ,IE = 0)
发射极 - 基极击穿电压
(IE = 0.1 MADC , IC = 0)
基地截止电流
( VCE = 35 VDC , VEB = 0.4伏)
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 35 VDC , VEB = 0.4伏)
1.脉冲测试:脉冲宽度
300
m
S,占空比
2.0%.
V( BR ) CEO
V( BR ) CBO
V( BR ) EBO
IBEV
ICEX
40
60
6.0
0.1
0.1
VDC
VDC
VDC
μAdc
μAdc
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
©
摩托罗拉公司1996年
1