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MUN5134DW1T1G 参数 Datasheet PDF下载

MUN5134DW1T1G图片预览
型号: MUN5134DW1T1G
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内容描述: 双偏置电阻晶体管 [Dual Bias Resistor Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 20 页 / 148 K
品牌: ONSEMI [ ONSEMI ]
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MUN5111DW1T1 Series  
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5115DW1T1  
1
1000  
V
= 10 V  
CE  
I /I = 10  
C B  
75°C  
T = −25°C  
A
75°C  
100  
0.1  
25°C  
−25°C  
25°C  
0.01  
10  
1
0.001  
0
20  
30  
40  
50  
1
10  
100  
10  
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
Figure 22. VCE(sat) versus IC  
Figure 23. DC Current Gain  
12  
10  
100  
10  
1
75°C  
f = 1 MHz  
l = 0 V  
E
T = 25°C  
A
25°C  
8
6
4
2
T = −25°C  
A
0.1  
0.01  
V
= 5 V  
O
0
0
0.001  
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
V , REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)  
R
V , INPUT VOLTAGE (VOLTS)  
in  
Figure 24. Output Capacitance  
Figure 25. Output Current versus Input Voltage  
10  
V
= 0.2 V  
O
T = −25°C  
A
1
25°C  
75°C  
0.1  
0
10  
20  
30  
40  
50  
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
Figure 26. Input Voltage versus Output Current  
http://onsemi.com  
9