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MUN5134DW1T1G 参数 Datasheet PDF下载

MUN5134DW1T1G图片预览
型号: MUN5134DW1T1G
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内容描述: 双偏置电阻晶体管 [Dual Bias Resistor Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 20 页 / 148 K
品牌: ONSEMI [ ONSEMI ]
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MUN5111DW1T1 Series  
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5113DW1T1  
1
1000  
V
= 10 V  
I /I = 10  
C B  
CE  
T ꢁ=ꢁ75°C  
A
T ꢁ=ꢁ−25°C  
A
25°C  
25°C  
75°C  
−25°C  
100  
ꢀ0.1  
ꢀ0.01  
10  
0
10  
20  
30  
40  
1
10  
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
100  
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
C
Figure 12. VCE(sat) versus IC  
Figure 13. DC Current Gain  
1
100  
25°C  
−25°C  
T ꢁ=ꢁ75°C  
A
f = 1 MHz  
l = 0 V  
E
0.8  
10  
1
T = 25°C  
A
0.6  
0.4  
ꢀ0.1  
ꢀ0.01  
0.2  
0
V
= 5 V  
ꢀ5  
O
ꢀ0.001  
0
10  
20  
30  
40  
50  
0
1
2
3
ꢀ4  
ꢀ6  
ꢀ7  
ꢀ8  
ꢁ9  
10  
V , REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)  
R
V , INPUT VOLTAGE (VOLTS)  
in  
Figure 14. Output Capacitance  
Figure 15. Output Current versus Input Voltage  
100  
V
= 0.2 V  
O
T ꢁ=ꢁ−25°C  
A
25°C  
75°C  
10  
1
ꢁ0.1  
0
10  
ꢀ20  
ꢀ30  
ꢀ40  
ꢀ50  
I , COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
Figure 16. Input Voltage versus Output Current  
http://onsemi.com  
7