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    MMBT3906LT1G 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT3906LT1G图片预览
    型号： MMBT3906LT1G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通用晶体管（ PNP硅） [General Purpose Transistor(PNP Silicon)]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管光电二极管PC
    文件页数/大小： 6 页 / 101 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号MMBT3906LT1G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT3906LT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT3906LT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT3906LT1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT3906LT1G的Datasheet PDF文件第6页  
    MMBT3906LT1
    TYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICS
    T
    J
    = 25°C
    T
    J
    = 125°C
    10
    7.0
    CAPACITANCE (pF)
    Q, CHARGE (pC)
    5.0
    C
    obo
    C
    ibo
    3.0
    2.0
    5000
    3000
    2000
    1000
    700
    500
    300
    200
    100
    70
    50
    V
    CC
    = 40 V
    I
    C
    /I
    B
    = 10
    Q
    T
    Q
    A
    1.0
    0.1
    0.2 0.3
    0.5 0.7 1.0
    2.0 3.0 5.0 7.0 10
    REVERSE BIAS (VOLTS)
    20 30 40
    1.0
    2.0 3.0
    5.0 7.0 10
    20 30 50 70 100
    I
    C
    , COLLECTOR CURRENT (mA)
    200
    Figure 3. Capacitance
    500
    300
    200
    100
    70
    50
    30
    20
    10
    7
    5
    I
    C
    /I
    B
    = 10
    500
    300
    200
    Figure 4. Charge Data
    V
    CC
    = 40 V
    I
    B1
    = I
    B2
    I
    C
    /I
    B
    = 20
    t f , FALL TIME (ns)
    100
    70
    50
    30
    20
    10
    7
    5
    I
    C
    /I
    B
    = 10
    TIME (ns)
    t
    r
    @ V
    CC
    = 3.0 V
    15 V
    40 V
    2.0 V
    t
    d
    @ V
    OB
    = 0 V
    1.0
    2.0 3.0
    5.0 7.0 10
    20
    30
    50 70 100
    200
    1.0
    2.0 3.0
    5.0 7.0 10
    20
    30
    50 70 100
    200
    I
    C
    , COLLECTOR CURRENT (mA)
    I
    C
    , COLLECTOR CURRENT (mA)
    Figure 5. Turn −On Time
    Figure 6. Fall Time
    http://onsemi.com
    3

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