电气特性
除非另有说明，测得最小值和最大值的条件为 VIN=2.7 V 至 5.5 V，且 TA=-40°C 至 +85°C。典型值测量条件为 TA=25°C、VIN=5
V，且 VOUT=1.2 V。
符号
参数
条件
最小值 典型值 最大值 单位
电源
ILOAD= 0、MODE = 0（自动 PFM/PWM）
ILOAD= 0、MODE = 1（强制 PWM）
EN=GND
50
30
µA
mA
µA
V
IQ
静态电流
I SD
停机电源电流
0.1
2.67
2.3
365
10
VIN 升
IN 降
2.80
VUVLO 欠压锁定阈值
V
2.1
V
VUVHYST 欠压锁定滞环宽度
mV
逻辑引脚
VIH
VIL
高电平输入电压
低电平输入电压
1.05
V
0.4
V
VLHYST 逻辑输入滞回电压
140
mV
µA
mA
µA
IIN
输入偏置电流
输入接地或将 1 kΩ 电阻接在 VIN
VPGOOD=0.4 V
0.01
1.00
1.00
IOUTL
PGOOD 下拉电流
PGOOD 高漏电流
1
IOUTH
OUT调节
VPGOOD=VIN
0.01
V
TA= 25°C，强制 PWM
TA= -40°C 至 85°C，强制 PWM
自动 PFM/PWM
0.792
0.787
0.784
0.800
0.800
0.800
0.808
0.813
0.824
V
V
V
VREF
输出参考直流精度，在 FB 引脚测得
VOUT
ILOAD
负载调节
MODE = VIN（强制 PWM）
–0.02
%/A
%/V
VOUT
线路调节
2.7 V ≤ VIN≤ 5.5 V, IOUT(DC)=1.5 A
-0.16
V
IN
IREF
FB 引脚漏电流
FB=0.8 V
1
nA
VOUT 瞬态响应
ILOAD Step 0.1 A to 1.5 A, tR=100 ns
-30
mV
功率开关和保护
RDS(ON)P P 沟道 MOSFET 导通电阻
RDS(ON)N N 沟道 MOSFET 导通电阻
33
28
mΩ
mΩ
A
开环
闭环
5.8
5.5
7.5
8
8.8
ILIMPK
P-MOS 峰值限流
A
TLIMIT
THYST
热关断
155
20
°C
°C
V
热关闭滞环宽度
上升阈值
下降阈值
6.1
5.8
VSDWN 输入 OVP 关断
V
频率控制
fSW
振荡器频率
2.1
2.4
3.0
MHz
kHz
fMODE
MODE 引脚同步范围
外部方波、30% 至 70% 占空比
525
600
700
软启动和输出放电
调节器启用至稳定 VOUT
（上升 PGOOD）
tSS
1.2
ms
RDIS
输出放电电阻
EN=0 V
175
Ω
© 2013 飞兆半导体公司
FAN53541 • 1.0.2
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