恩智浦半导体
PCF8563
实时时钟/日历
13.动态特性
表30.动态特性
V
DD
= 1.8 V至5.5 V ; V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
=
40
C至+ 85
℃; ˚F
OSC
= 32.768千赫;石英ř
s
= 40 k
; C
L
= 8 pF的;除非另有
指定的。
符号
振荡器
C
OSCO
f
OSC
/f
OSC
在OSCO引脚电容
相对振荡器频率变化
V
DD
= 200 mV的;
T
AMB
= 25
C
15
-
25
0.2
35
-
pF
PPM
参数
条件
民
典型值
最大
单位
石英晶体参数（ F = 32.768千赫）
R
s
C
L
C
TRIM
串联电阻
负载电容
微调电容
并行
外部;
引脚OSCI
-
7
5
-
-
-
100
12.5
25
k
pF
pF
CLKOUT输出
CLKOUT
f
SCL
t
HD ; STA
t
SU ; STA
t
低
t
高
t
r
引脚CLKOUT的占空比
SCL时钟频率
保持时间（重复）启动条件
建立时间重复起始条件
SCL时钟的低电平周期
高周期的SCL时钟
上升SDA和SCL信号的时间
标准模式
快速模式
t
f
C
b
t
SU ; DAT
t
HD ; DAT
t
SU ; STO
t
W（秒杀）
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
-
-
0.6
0.6
1.3
0.6
-
-
-
-
100
0
0.6
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
400
-
-
-
-
1
0.3
0.3
400
-
-
-
50
%
千赫
s
s
s
s
s
s
s
pF
ns
ns
s
ns
I
2
C总线时序特性（见
秋季SDA和SCL信号的时间
容性负载为每个公交专线
数据建立时间
数据保持时间
建立时间为停止条件
尖峰脉冲宽度
在总线
C
TRIM
C
OSCO
-
C
L
是一个计算的C
TRIM
和C
OSCO
串联：
C
L
=
-----------------------------------------
.
C
TRIM
+
C
OSCO
未指定求f
CLKOUT
= 32.768千赫。
所有的定时值之内，在环境温度下的操作电源电压有效和参考V
IL
和V
IH
与输入电压
V摆动
SS
到V
DD
.
在我的详细说明
2
C总线规范中给出了
I
2
两次启动之间或START和STOP条件，该设备建立C总线访问时间必须小于一秒。
PCF8563
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
© NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
启9 - 2011年6月16日
31 45
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
