恩智浦半导体
HEF4094B
8级移位 - 和 - 存储总线寄存器
表3中。
输入
CP
↓
[1]
功能表
[1]
- 续
并行输出
OE
H
STR
H
D
H
QP0
NC
QPn中
NC
串行输出
QS1
NC
QS2
Q7S
在正时钟沿，在第7个寄存器级中的信息传送到第八寄存器级和QSN输出。
H =高电压电平; L =低电压水平; X =唐??在意;
↑
=正向跳变;
↓
=负向过渡;
Z =高阻关断状态; NC =无变化;
Q6S =低电平到高电平时钟跳变前的寄存器级6中的数据;
Q7S =高分到低分时钟跳变前的寄存器级7的数据。
时钟输入
数据输入
选通输入
输出使能输入
内部Q0S （ FF 0 ）
输出QP0
内部Q6S （ FF 6 ）
输出QP6
串行输出QS1
串行输出QS2
001aaf117
Z-状态
Z-状态
图5 。
时序图
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考V
SS
= 0V （接地） 。
符号
V
DD
I
IK
V
I
I
OK
I
I / O
I
DD
T
英镑
T
AMB
P
合计
P
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输入/输出电流
电源电流
储存温度
环境温度
总功耗
功耗
条件
V
I
< 0.5 V或V
I
＆ GT ; V
DD
+ 0.5 V
V
O
< 0.5 V或V
O
＆ GT ; V
DD
+ 0.5 V
民
−0.5
-
−0.5
-
-
-
−65
−40
最大
+18
±10
V
DD
+ 0.5
±10
±10
50
+150
+125
750
500
100
单位
V
mA
V
mA
mA
mA
°C
°C
mW
mW
mW
DIP16
SO16
每路输出
-
-
-
对于DIP16封装：以上牛逼
AMB
= 70
°C,
P
合计
减额直线为12毫瓦/ K 。
对于SO16封装：以上牛逼
AMB
= 70
°C,
P
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
HEF4094B_4
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牧师04 - 二零零八年十月三十○日
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PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
