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    BSS84/DG 参数 Datasheet PDF下载

    BSS84/DG图片预览
    型号： BSS84/DG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型垂直DMOS晶体管 [P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 11 页 / 70 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第10页浏览型号BSS84/DG的Datasheet PDF文件第11页  
    恩智浦半导体
    BSS84
    P沟道增强型垂直DMOS晶体管
    1.2
    V
    gsth
    V
    GSth(25°C)
    1.0
    mld195
    80
    C
    （PF ）
    60
    mld191
    40
    C
    国际空间站
    20
    C
    OSS
    C
    RSS
    0.6
    −50
    0
    0
    50
    100
    T
    j
    (°C)
    150
    0
    −10
    −20
    −30
    0.8
    V
    DS
    (V)
    I
    D
    =
    −1
    毫安; V
    DS
    = V
    GS
    V
    GS
    =
    0
    V ; F = 1 MHz的
    图8 。
    栅极 - 源极阈值电压的一个函数
    结温
    图9 。
    输入，输出和反向传输
    电容随着漏 - 源的函数
    电压;典型值
    8.测试信息
    10 %
    V
    DS
    =
    −40
    V
    输入
    90 %
    10 %
    0V
    −10
    V
    50
    Ω
    产量
    I
    D
    90 %
    t
    on
    mld189
    t
    关闭
    mbb690
    图10.开关时间测试电路
    图11的输入和输出波形
    BSS84_6
    © NXP B.V. 2008保留所有权利。
    产品数据表
    牧师06 - 2008年12月16日
    7 11

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