BSS84/DG 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS84/DG
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内容描述：	P沟道增强型垂直DMOS晶体管 [P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	11 页 / 70 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

恩智浦半导体

BSS84

P沟道增强型垂直DMOS晶体管

−600

（MA ）

−400

−10

−7.5

−6

mld197

DSON

(Ω)

mld198

−2.5

−3

−4

−5

−200

−4

−3

−2.5

−7.5

−10

−1

−10

−2

−4

−6

−8

−10

−12

(V)

（MA ）

= 25

°C

= 25

°C

图4 。

输出特性：漏极电流为

漏极 - 源极电压的函数;典型

值

mld196

图5 。

漏极 - 源极导通电阻为一个函数

漏电流;典型值

−600

（MA ）

−400

1.8

DSON

DSon(25°C)

mld194

(1)

(2)

1.4

−200

1.0

−2

−4

−6

−8

−10

(V)

0.6

−50

100

(°C)

150

= 25

°C;

−10

(1) I

−130

毫安; V

−10

(2) I

−20

毫安; V

−2.4

图6 。

传输特性：漏极电流为

栅极 - 源极电压的函数;典型值

图7 。

归一化的漏极 - 源极导通电阻

因子作为结温的函数

BSS84_6

产品数据表

牧师06 - 2008年12月16日

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