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    BCP52 参数 Datasheet PDF下载

    BCP52图片预览
    型号： BCP52
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    内容描述： 60 V ，1 A PNP中功率晶体管 [60 V, 1 A PNP medium power transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管PC
    文件页数/大小： 12 页 / 116 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BCP52的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BCP52的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BCP52的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BCP52的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BCP52的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BCP52的Datasheet PDF文件第10页浏览型号BCP52的Datasheet PDF文件第11页浏览型号BCP52的Datasheet PDF文件第12页  
    恩智浦半导体
    BCP52 ; BCX52
    60 V ，1 A PNP中功率晶体管
    300
    (1)
    006aaa226
    −1.6
    I
    C
    (A)
    −1.2
    006aaa230
    I
    B
    （毫安） =
    −45 −40.5 −36
    −31.5
    −27
    −22.5
    −18
    −13.5
    h
    FE
    200
    (2)
    −0.8
    −9
    100
    (3)
    −4.5
    −0.4
    0
    −10
    −1
    −1
    −10
    −10
    2
    −10
    3
    −10
    4
    I
    C
    （MA ）
    0
    0
    −0.4
    −0.8
    −1.2
    −1.6
    −2.0
    V
    CE
    (V)
    V
    CE
    =
    −2
    V
    (1) T
    AMB
    = 150
    °C
    (2) T
    AMB
    = 25
    °C
    (3) T
    AMB
    =
    −55 °C
    T
    AMB
    = 25
    °C
    图8.直流电流增益作为集电体的功能
    电流;典型值
    −1200
    V
    BE
    （毫伏）
    −1000
    (1)
    图9.集电极电流的一个函数
    集电极 - 发射极电压;典型值
    −10
    3
    006aaa228
    006aaa227
    V
    CESAT
    （毫伏）
    −800
    (2)
    −10
    2
    −600
    (3)
    (2)
    (1)
    −400
    (3)
    −200
    −10
    −1
    −1
    −10
    −10
    2
    −10
    3
    −10
    4
    I
    C
    （MA ）
    −10
    −10
    −1
    −1
    −10
    −10
    2
    −10
    3
    −10
    4
    I
    C
    （MA ）
    V
    CE
    =
    −2
    V
    (1) T
    AMB
    =
    −55 °C
    (2) T
    AMB
    = 25
    °C
    (3) T
    AMB
    = 150
    °C
    I
    C
    /I
    B
    = 10
    (1) T
    AMB
    = 150
    °C
    (2) T
    AMB
    = 25
    °C
    (3) T
    AMB
    =
    −55 °C
    图10中相应发射极电压作为集电体的功能
    电流;典型值
    图11.集电极 - 发射极饱和电压为
    集电极电流的函数;典型值
    BCP52_BCX52_8
    © NXP B.V. 2008保留所有权利。
    产品数据表
    牧师08 - 2008年2月25日
    8 12

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