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    BC858B 参数 Datasheet PDF下载

    BC858B图片预览
    型号： BC858B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP通用晶体管 [PNP general purpose transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 10 页 / 132 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BC858B的Datasheet PDF文件第9页  
    恩智浦半导体
    产品数据表
    PNP通用晶体管
    特征
    T
    AMB
    = 25
    °C
    除非另有规定ED 。
    符号
    I
    CBO
    参数
    集电极 - 基极截止电流
    条件
    V
    CB
    =
    −30
    V ;我
    E
    = 0
    V
    CB
    =
    −30
    V ;我
    E
    = 0;
    T
    j
    = 150
    °C
    I
    EBO
    h
    FE
    发射极 - 基极截止电流
    直流电流增益
    BC856
    BC857
    BC856A ; BC857A
    BC856B ; BC857B ; BC858B
    BC857C
    V
    CESAT
    集电极 - 发射极饱和电压
    V
    EB
    =
    −5
    V ;我
    C
    = 0
    I
    C
    =
    −2
    毫安; V
    CE
    =
    −5
    V
    BC856 ; BC857 ; BC858
    分钟。
    −
    −
    −
    125
    125
    125
    220
    420
    典型值。
    −1
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    −75
    −250
    −700
    −850
    −650
    −
    4.5
    −
    2
    马克斯。
    −15
    −4
    −100
    475
    800
    250
    475
    800
    −300
    −650
    −
    −
    −750
    −820
    −
    −
    10
    单位
    nA
    μA
    nA
    I
    C
    =
    −10
    毫安;我
    B
    =
    −0.5
    mA
    −
    I
    C
    =
    −100
    毫安;我
    B
    =
    −5
    毫安;
    −
    注1
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    mV
    pF
    兆赫
    dB
    V
    BESAT
    基射极饱和电压
    I
    C
    =
    −10
    毫安;我
    B
    =
    −0.5
    mA
    −
    I
    C
    =
    −100
    毫安;我
    B
    =
    −5
    毫安;
    −
    注1
    V
    BE
    C
    c
    f
    T
    F
    基射极电压
    集电极电容
    跃迁频率
    噪声系数
    I
    C
    =
    −2
    毫安; V
    CE
    =
    −5
    V
    I
    C
    =
    −10
    毫安; V
    CE
    =
    −5
    V
    V
    CB
    =
    −10
    V ;我
    E
    = I
    e
    = 0;
    F = 1 MHz的
    V
    CE
    =
    −5
    V ;我
    C
    =
    −10
    毫安;
    F = 100 MHz的
    I
    C
    =
    −200 μA;
    V
    CE
    =
    −5
    V;
    R
    S
    = 2 k ; F = 1千赫
    B = 200赫兹
    −600
    −
    −
    100
    −
    记
    1.脉冲测试：吨
    p
    ≤
    300
    μs; δ ≤
    0.02.
    2004年01月16日
    4

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