BC858B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BC858B
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内容描述：	PNP通用晶体管 [PNP general purpose transistors]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	10 页 / 132 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

恩智浦半导体

产品数据表

PNP通用晶体管

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 60134 ）。

符号

CBO

BC856

BC857

BC858

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BC856

BC857

BC858

EBO

合计

英镑

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板，标准的足迹。

热特性

符号

号（j -a）的

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板，标准的足迹。

参数

热阻结到

环境

条件

在自由空气中;注1

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

AMB

≤

°C;

注1

集电极开路

开基

参数

集电极 - 基极电压

条件

发射极开路

BC856 ; BC857 ; BC858

分钟。

−

−65

−

−65

马克斯。

−80

−50

−30

−65

−45

−30

−5

−100

−200

250

+150

150

+150

单位

°C

典型

500

单位

K / W

2004年01月16日

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